近些年来，随着汽车和工业的升级，以SiC为代表的第三代化合物开始受到行业的青睐。根据Yole预测，2018-2024年，全球SiC功率器件市场规模将由4.20亿美元增长至19.29亿美元，CAGR高达29%，其中电动汽车市场是最大驱动力，预计2024年消费占比将达到49%（包括OBC、逆变器、DC/DC、充电桩等应用）。
随着国内龙头企业和新创企业在第三代半导体领域的加大投入和布局，预计我国第三代半导体产业链发展会得到进一步强化。在此感知芯视界汇总整理了公开资料可查询的国内企业SiC功率晶圆产线（不完全统计）：
泰科天润总部坐落于北京，在北京和湖南分别拥有4英寸和6英寸碳化硅半导体工艺晶圆生产线。据泰科天润近日发布消息，目前生产线已通线，进入试生产阶段，工艺设备调通，投片40工程批次以上，综合良率90%以上，预计9月份完成可靠性实验，批量化出货。
泰科天润湖南项目位于湖南浏阳经开区（高新区）新能源标准厂区内，于2019年年底正式开建。其官网显示，该项目一期总投资5亿元，可实现年产6万片6英寸碳化硅晶圆。 整个项目投产满产后，年产值预计可达13亿至14亿元。
三安光电旗下的三安集成于2018 年12月公布商业版本的6英寸碳SiC 晶圆制造流程，并将其加入到代工组合当中。根据公司新闻稿，目前三安集成SiC 工艺技术可以为650V、1200V 和更高额定电压的肖特基势垒二极管（SBD）提供器件结构，公司预计在不久后会推出针对900V、1200V和更高额定电压的SiC MOSFET 产品。
中电科 55 所是国内少数从 4-6 寸碳化硅外延生长、芯片设计与制造、模块封装领域实现全产业链的企业单位，其 6 英寸碳化硅中试线已投入运行，旗下的控股子公司扬州国扬电子为“宽禁带电力电子器件国家重点实验室”的重要实体单位，专业从事以碳化硅为代表的新型半导体功率模块的研制和批产，现有一条于 2017 年投产、产能 50 万只 / 年的模块工艺线。
北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月，前身为始建于1970年的中原半导体研究所（国营542厂）。北京世纪金光半导体有限公司集半导体单晶材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体，贯通了第三代半导体全产业链。
世纪金光于2015年第一款碳化硅SBD研制成功，开始碳化硅全产业链工业生产线年第一款碳化硅 MOSFET器件研发成功；2018年2月1日，世纪金光6英寸碳化硅器件生产线成功通线，我国首次实现碳化硅全产业链贯通。
国家电网公司直属科研单位全球能源互联网研究院有限公司于2012年开始启动碳化硅器件研究，并于2019年建成投运国内首条6英寸电力系统用大功率电力电子器件中试线。
依托中试线，国家电网公司在高压领域已完成6500V/50A高压碳化硅二极管芯片制备，并首次在国内6英寸超厚碳化硅外延上实现6500伏电压等级碳化硅功率器件流片。同时，在中低压领域实现1200伏碳化硅二极管与MOSFET器件的制备，并进入产品化阶段。目前，国家电网公司正结合电力系统应用需求开展基于碳化硅器件的新型装置研发工作。
目前国基南方拥有一条完整、集中的4/6英寸SiC工艺线，主要产品为SiC SBD系列产品，并实现1200V SiC MOSFET小批量产，年供货约为1000万只。中电国基南方集团子公司扬州国扬电子专业从事SiC半导体功率模块的研制和批量生产，在扬州建设了1条年产SiC模块工艺线V SiC SBD和SiC JFET样品（3英寸碳化硅晶圆），2016年发布G1 600-1700V SiC SBD产品，开发了SiC MOSFET关键工艺并研制出产品（4英寸碳化硅晶圆），2018年发布G3 SiC MPS二极管系列产品，并建立G1 SiC DMOSFET产品技术。
株洲中车时代电气股份有限公司是中国中车旗下股份制企业，其前身及母公司——中车株洲电力机车研究所有限公司创立于1959年。2017年12月，中车时代电气总投资3.5亿元人民币的6英寸碳化硅产业基地技术调试成功，2018年1月首批芯片试制成功。这是国内首条6英寸碳化硅生产线专项 ”、国家发改委新材料专项等国家重点项目支持，是中车时代电气的重点投资项目之一，实现碳化硅二极管和MOSFET芯片工艺流程整合，成功试制1200V碳化硅肖特基二极管功率芯片。
官网显示，成立以来，华润微曾先后整合华科电子、中国华晶、上华科技等中国半导体先驱，经过多年的发展及一系列整合，公司已成为中国本土具有重要影响力的综合性半导体企业。2020年7月4日，华润微发布消息，正式向市场投放1200V 和650V工业级碳化硅（SiC）肖特基二极管功率器件产品系列。同时，华润微还宣布，其6英寸商用碳化硅（SiC）晶圆生产线正式量产。据了解，这是国内首条实现商用量产的6吋碳化硅晶圆生产线片/月，产品目标应用主要在太阳能逆变器、通讯电源、服务器、储能设备等领域。
2018年1月，上海积塔半导体特色工艺生产线月，该项目被认定为上海市重大产业项目，2018年8月正式开工，2019年5月项目主体结构封顶，2019年12月设备搬入，2020年3月30日，正式投片。按照计划，项目一期投资 89 亿元，规划建设月产能6万片8英寸晶圆的0.11μm/0.13μm/0.18μm（微米）工艺生产线nm（纳米）工艺先导生产线英寸晶圆的SiC（碳化硅）化合物半导体生产线年实现全面量产。
芜湖启迪半导体有限公司成立于2018年1月，由芜湖迪芯企业合伙公司与芜湖市建投、启迪新材料共同发起设立，专注于第三代半导体技术的研发和生产。拥有以GaN和SiC为代表的第三代半导体外延生长、芯片制造、器件和模组封装测试等四条生产线。根据启迪半导体今年4月公布的2021年第一季度经营分析会显示，公司所有产线均已进入正式运营状态，SiC晶圆产线、GaN晶圆产线已实现销售；封测产线销售收入超额完成，并引入首家外销客户；五大工艺平台建设均按计划完成任务，其中SiC SBD平台已完成全流程验证。
瑞能半导体源自恩智浦标准产品事业部，公司较早就推出了第三代半导体材料的功率器件，功率半导体产品组合包括：碳化硅二极管，可控硅整流器和三端双向可控硅、功率二极管、高压晶体管等。2017年将碳化硅代工生产工艺平台从4吋升级至6吋。瑞能半导体的碳化硅二极管器件覆盖了从2A-40A， 650V-1200V的应用范围，同时具有多种封装形式包括SMD和插件封装。
6月23日上午，位于长沙高新产业园区的湖南三安半导体正式点亮投产。湖南三安半导体总投资160亿元，规划用地面积约1000亩，自2020年7月破土动工，历时不到一年，一座从碳化硅晶体生长到功率器件封测的全产业链现代化生产基地，月产30,000片6寸碳化硅晶圆的超级工厂落成并投产。作为湖南省的重点项目之一，湖南三安半导体项目将在长沙高新区建设形成集长晶、衬底、外延、芯片、封装测试于一体的全产业链项目，是全球第三条、中国首条碳化硅全产业链生产线，其产品可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线G)通讯等领域
基本半导体成立于2016年，核心研发团队成员包括来自清华大学、剑桥大学、瑞典皇家理工学院、中国科学院等多所国内外知名高校及研究机构的十多位博士，覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、器件封测、驱动应用等产业链关键环节。拥有完整的4/6寸生产流程线，拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备，提供完整的器件生产或部分工艺步骤定制。2020年底，基本半导体位于深圳坪山的第三代半导体产业基地开工建设，预计2022年投产，是深圳市2020年重大项目之一；南京制造基地已于2020年3月开工建设，预计2021年投产，主要进行碳化硅外延片的工艺研发和制造。
5月24日上午，江苏中科汉韵半导体有限公司SiC功率器件项目通线仪式在开发区凤凰湾电子信息产业园举行。中科汉韵是中科院微电子所碳化硅科技成果产业转化的成功典范。项目一期建筑面积2.1万平方米，建设年产5000片碳化硅功率器件生产线日，比亚迪半导体上市申请获得受理，计划投资31亿元建设3个项目，其中包括建设SiC晶圆生产线万片。其中，“新型功率半导体芯片产业化及升级项目”的投资总额为7.36亿元，拟募集资金3.12 亿元。该项目主要是为了建设年产能24万片的SiC晶圆生产线。比亚迪半导体表示，本项目将以宁波半导体作为实施主体，将在宁波厂房建设SiC功率半导体晶圆制造产线，项目建成后，公司将拥有月产2万片SiC晶圆制造产能，项目建设期为5年。
据济南市人民政府办公厅发布2020年度市级重点项目名单，富能半导体高功率芯片项目由济南产业发展投资集团、高新控股集团、富杰基金及富能技术团队共同参与实施。项目总投资额60亿元，规划建设月产10万片的两个8英寸厂及一个月产5万片的12英寸厂，一期占地318亩，主要建设月产3万片的8英寸硅基功率器件和月产1000片的6英寸碳化硅功率器件的产能，产品覆盖消费、工业、电网以及新能源车的应用。
资料显示，芯聚能半导体有限公司聚焦车规级功率半导体元器件研发、生产和销售，将建成面向新能源汽车主驱动器的核心功率半导体芯片设计、器件与模块产品的研发与产业化基地。2018年9月，广州南沙开发区管委会和芯聚能半导体有限公司签订投资协议，标志着这家企业正式落户南沙，也标志着应用第三代半导体技术产业化基地在南沙落地。据金羊网此前报道，芯聚能项目总投资达25亿元。项目第一阶段将建设用于新能源汽车的IGBT和SiC功率器件与模块生产基地，同时实现工业级功率器件规模化生产。第二阶段将面向新能源汽车和自动驾驶的汽车功率模块、半导体器件和系统产品，延伸并形成从芯片到封装、模块的产业链聚集。
2019年6月18日，投资30亿元的百识第三代半导体6英寸晶圆制造项目成功签约南京浦口。该项目由南京百识电子科技有限公司建设，总投资30亿元，拟用地80亩，建立第三代半导体外延片+器件专业代工，可以承接国内外IDM与designhouse的委托制作订单，串接国内上下游产业链，达到第三代半导体芯片国造的目标，产品主要应用于5G基站、电动车、雷达、快速充电器等。
今年4月，媒体报道青岛市惠科6英寸晶圆半导体功率器件及第三代半导体项目的最新动态。据悉，该项目目前产能为每月1万片，在手订单已经超过10万片，而企业2021年的订单量早在今年年初就已排满，今年力求尽快实现满产。该项目一期投资约30亿，主要建设20万平方米厂房及附属设施，用于生产半导体分立器件、碳化硅器件、电子元件等，新上芯片和先进晶圆芯片级成管封装生产线及配套系统。
去年10月28日消息，华瑞微第三代化合物半导体生产线项目顺利落户安徽省滁州市南谯经济开发区，该项目是南京市浦口区与滁州市南谯区签署跨界一体化发展示范区合作框架协议后的首个招引项目。
据了解，该项目总投资10亿元，占地100亩，建设周期3年，主要承担第三代化合物半导体器件的研发及产业化，建设SiC MOSFET生产线。项目建成后将形成年产1万片第三代化合物半导体器件的生产能力，完全达产后销售额预计超10亿元。
7月9日，上市公司英唐智控发布重磅消息，将建6英寸碳化硅生产线年，主营业务为电子元器件分销，近年来通过收购，介入半导体元件、集成电路以及其他电子零部件生产领域。2020年英唐智控营收为104.2亿元，同比下降12.8%；实现归母净利润2.7亿元，同比增长841.5%；其中，电子元器件产品（分销）营收约为101.16亿元，占比超过97%。
去年8月，露笑科技宣布在合肥市长丰县投资建设碳化硅半导体产业园。该项目总投资100亿元，主要建设第三代功率半导体（碳化硅）的设备制造、长晶生产、衬底加工、外延制作等产业链的研发和生产基地，不仅投资大，并且建设内容几乎打通了碳化硅半导体器件的全部环节。根据调研报告披露，合肥碳化硅项目一期100台设备已经完成出厂调试，预计7月底在合肥工厂完成安装调试；衬底片已通过多家第三方单位的测试，已达到了P级标准。随着衬底加工设备、清洗设备、测试设备等的逐步到位，以及加工工艺的进一步优化，合肥工厂9月份可实现6英寸导电型碳化硅衬底片的小批量试生产。
3月2日，斯达公告披露了2021年度非公开发行A股股票预案，拟非公开发行股票募集资金总额不超过35亿元。公告显示，其中20亿元将用于高压特色工艺功率芯片和SiC研发及产业化项目，预计将形成年产36万片功率半导体芯片的生产能力。2020年12月18日，斯达半导体还曾拟投资2.2947亿元建设全碳化硅功率模组产业化项目，投资建设年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心。
今年3月义乌举行2021年一季度重大项目开工和招商引资项目集中签约活动。开工项目中包括浙江瞻芯电子的碳化硅功率器件生产研发中心，该研发中心拟投资6亿元，将建成国内第一条车规级碳化硅半导体生产线。据报道，项目计划投资建设碳化硅（SiC）功率器件生产研发中心，一期占地50亩，包含6英寸的碳化硅功率器件生产线年设备进场安装和调试，2022年投入生产，形成年产30万片6英寸晶圆的生产能力。
4月8日，济南槐荫经济开发区举行2020年重点招商引资项目签约仪式，中鸿新晶第三代半导体产业集群项目落地济南。中鸿项目计划总建设周期5年，项目总投资111亿元，可实现6-8英寸碳化硅单晶生产、加工、碳化硅外延、器件、模块、封测生产线条，完成并购瑞典ASCATRON公司，致力于打造全球领先的“国家级战略新兴半导体研究院”。
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