还记得写硅料的那篇文章里提到过，为了得到硅锭，需要把硅石和碳一起扔到石墨炉子里高温融化，通过化学反应把硅石里的硅提取出来，这个过程中会产生一个副产品-碳化硅，本来这个副产品挺碍事，需要进一步操作，再把里面的硅给提出来，然而由于近些年碳化硅概念大火（相比硅基，禁带宽度更宽，导热率更强，击穿电压更高，电子饱和漂移速率更快，是制作高压功率器件（用以电压及电流转换）的绝佳材料），这个被人嫌弃的副产品竟然摇身一变，成为资本热捧的香饽饽了，真是让人不由得感叹世事无常。
事实上从2001年英飞凌做出了第一只碳化硅二极管开始，Cree、罗姆、ST等公司也相继进入该领域，陆续推出了碳化硅二极管、三极管，MOSFET管等，但一直没有合适的应用场景，因此碳化硅一直是一个小众市场。直到2018年，特斯拉Model 3宣布主驱采用碳化硅模块，用48颗SIC MOSFET替代了84颗IGBT，使体积、功耗大幅减小，为全车增加了续航里程，一举将这个小众产品推向了风口浪尖，产业界拍断大腿，原来碳化硅最好的应用场景就是新能源车。
既然全球新能源车老大率先采用了碳化硅器件，那一众小弟必须得跟上，2020 年比亚迪汉也采用了 SiC 模块，有效提升了加速性能、功率及续航能力，随后，丰田燃料电池车 Mirai 车型搭载了 SiC功率模块，体积降低了 30%，损耗降低了 70%，碳化硅上车运动开始轰轰烈烈发展了起来，各主机厂纷纷与碳化硅器件企业建立紧密合作，特斯拉找了意法半导体（意法为快速增加产能，选择与中国三安光电联合在重庆投资228亿建8寸碳化硅厂）；三菱找了日立；现代、小鹏、大众找了英飞凌；大众还找了Wolfspeed；吉利找了罗姆；奔驰、奥迪、蔚来找了安森美。
新能源车现在最牛的是中国，碳化硅作为重要配套，敏锐的中国商人们自然不会放过这绝佳的机会，一大批碳化硅企业如雨后春笋般迅速发展起来，要说硅基器件国外发展了近百年，我们追赶起来确实有难度，但碳化硅2018年才火起来，国内外差距不大，于是诸如弯道超车之类的口号喊得震耳欲聋，不过尴尬的是，正当国内风风火火的建工厂、搞碳化硅的时候，2023年初，始作俑者的特斯拉突然宣布单车减用75%的碳化硅，搞了业界一个措手不及，颇有一种把大家忽悠上车它却自己下车了的感觉，有分析说是因为碳化硅产能不足影响了特斯拉的大规模生产，也有分析说是因为碳化硅器件成本过高影响了特斯拉持续降低成本，总之众说纷纭，但不可否认的是，整个碳化硅产业，裹挟着巨量的政府资金、主机厂资金和社会资金滚滚向前，已经成长为一股强大的力量了。
对于我国来说，碳化硅的发展大体经过了3个阶段，引用泰科天润CEO陈彤的总结，第一波是2010-2012年，泰科天润 , 天科合达, 天岳先进, 东莞天域 , 瀚天天成。这五家公司是中国 SiC 供应商的第一波浪潮，都是几乎紧随着全球同行的发展，建立公司并开展碳化硅业务的，目前这五家公司也还是碳化硅行业的佼佼者。第二波是2015-2016年，主要是随着国家对半导体集成电路行业的重视，引导了一波上市公司和材料公司转型，投身进入碳化硅领域，比如河北同光、世纪金光、三安光电、厦门的芯光润泽等，这一波是现在市场上冲得最猛的。第三波是2018-2020年，主要受特斯拉在Model 3上大胆应用碳化硅的影响，促使社会资本大举投资进入这个领域，无论是衬底、外延、还是器件设计和晶圆制造，涌现出一大批新锐创业公司。
为系统的介绍一下目前国内碳化硅企业，我们从产业链入手来逐一剖析，碳化硅产业的主要环节在衬底、外延及器件设计和制造，其中衬底最难（碳化硅产业的脖子，国内平均良率40%-50%，海外60%-70%），占据了约50%的价值，其次是外延，占据20%的价值，器件设计相对简单（说白了就是个功率器件，换了个马甲），核心是制造工艺，所以国内碳化硅器件的公司，但凡有点条件都要从Fabless转到IDM，不过由于国内碳化硅晶圆厂制造工艺不足，目前只能生产车载OBC等导通电阻40-80毫欧的产品，在核心的主驱逆变器层面（要求导通电阻在10-20毫欧之间，芯片面积在5*5mm²）还只停留在送样阶段，因此虽然碳化硅上车国产替代喊得热闹，实际上各个新能源汽车还是老老实实用的进口货。
国产碳化硅衬底第一股，半绝缘型衬底龙头(主要是4英寸，2020年半绝缘型衬底营收占比达81.6%，主要应用于5G通讯，导电型龙头为天科合达，主要应用于新能源车)，公司于2010年在山东成立，背靠山东大学，创始人为宗艳民。公司成立之初，曾探索过蓝宝石衬底领域，自2011年至今，公司专注于碳化硅衬底的研发、生产和销售。2012年，公司具备2英寸半绝缘型、导电型碳化硅衬底量产能力。2013年，公司具备3英寸半绝缘型、4英寸导电型碳化硅衬底量产能力，大客户为华为，2013年，公司开始进行6英寸导电型碳化硅衬底的研发，并于2017年具备量产能力。2015年，公司开始研发6英寸半绝缘型碳化硅衬底，并于2019年具备量产能力。公司2022年科创板上市，募集26亿，正在进行8英寸导电型碳化硅衬底的研发
公司于2006年9月由新疆天富集团(出钱)、中国科学院物理研究所(出技术)在北京共同设立，专注于碳化硅（SiC）衬底的研发、生产和销售，公司在在导电衬底领域尤为出色，占据了国内一半以上的市场份额，2021年国际市场占有率排名第四，并成为英飞凌的碳化硅产品衬底供应商之一，公司总部公司设在北京市大兴，拥有一个研发中心和一个全套碳化硅晶片生产基地；全资子公司—新疆天科合达蓝光半导体主要进行碳化硅晶体生长，公司2018年在徐州投建了碳化硅衬底一期项目，2023年签约了2期，规划年产16万片碳化硅衬底衬底以及三期100万片外延片，同时由6寸向8寸转化，公司得到哈勃和大基金的投资，2020年一度申请IPO，后主动撤回，2023年重启IPO
公司成立于2010年，是一家贯通碳化硅全产业链的企业，实控人李百泉，前身为中原半导体研究所，始建于1970年，至今有50年历史积淀，目前拥有高纯碳化硅粉料提纯技术、6英寸碳化硅单晶制备技术、高压低导通电阻碳化SBD、MOSFET结构及工艺设计技术等，从衬底、外延、到芯片设计、制造、封测全覆盖，公司一度引入中科院上海硅酸盐所的陈之战，陈曾协助世纪金光建设了国内第一条完整的碳化硅晶体生长和加工中试线，在技术方面取得了较大突破，陈之战于2020年离开加盟了露笑科技，公司2015年引入了大基金，目前在北京，合肥(衬底，6寸年产3万片)，金华(芯片，规划年产24万片)有生产基地
国内领先碳化硅衬底企业，由郑清超于 2012 年 5 月在河北保定创立，2014年引进中科院李树深、夏建白、郑厚植等半导体领域的专家，依托于中科院半导体所，同光2017年成功研制出4寸碳化硅衬底，是国内率先实现量产SiC 单晶衬底的企业。公司目前的产品包括 4 英寸(应用在5G基建等射频领域)、6 英寸(应用在电力电子领域)高纯半绝缘型以及导电型碳化硅单晶衬底材料，公司自研单晶生长炉，2020年业务爆发后开始扩产，在 2022 年 产能达到 10 万片，目前公司8英寸碳化硅衬底已出样片，下一步，同光正谋划建设2000台碳化硅晶体生长炉生长基地，以及年产60万片碳化硅单晶衬底加工基地，拟总投资40亿元，预计2025年末实现满产运营。
中电科旗下(中电科2所)的碳化硅衬底生产企业，于2018年底在山西太原创立，短短4年多时间，公司先后完成 4、6、8 英寸碳化硅单晶衬底技术攻关，其中8英寸产品属国内首创。公司现已掌握碳化硅生长装备制造、碳化硅粉料制备，N型及高纯半绝缘碳化硅单晶衬底制备工艺，拥有碳化硅粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线，成为国内已实现碳化硅衬底材料供应链自主可控的碳化硅材料供应商之一，其中在4英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底领域(外延氮化镓，应用于5G基站等射频领域)有较强优势，目前年产能9.6万片，预计2025年规划年产能30万片
全球LED芯片龙头，正向半导体化合物材料转型，公司2000年在厦门成立，2002年成功研制出第一片LED外延片，在政府大力支持下，一路高歌猛进，2008年成功上市，后续在各类价格战与扩产能下发展成为全球第一，后LED芯片产能逐渐过剩，公司2014年开始，瞄准了半导体化合物材料领域(第二代半导体(GaAs)，以及第三代化合物半导体(GaN、SiC)均有布局)，2014年5月设立厦门三安集成，业务涵盖微波射频、电力电子、光通讯、滤波器等化合物半导体芯片的研发、代工及服务，在大基金支持下，2015年开始试生产，2021年4月设立泉州三安，业务涵盖GaN激光器、射频滤波器、功率半导体（电力电子）、特种衬底材料，2020年7月设立湖南三安，投中160亿，业务以半导体功率芯片为主，目前以碳化硅晶圆IDM一条龙为主。产业链包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装，并与理想汽车合资成立碳化硅模块公司，在碳化硅上车方面走在国产前列，公司核心产品包括射频芯片，碳化硅与氮化镓，滤波器与PA等射频前端，大客户包括华为等，目前市值近千亿
擅长资本运作的半导体巨头，公司1989年成立，做漆包线年上市，后主营业务持续下滑，便动起了并购转型的心思，2013年以7890万现金收购了浙江露通机电，进军蓝宝石长晶炉，2016年3.5亿收购了上海正昀进军锂电池行业，业绩承诺失败并且补偿款还在打官司，2017年5月5.5亿收购了江苏鼎阳绿能电力有限公司100%股权，进军光伏电站建设业务，业绩承诺再次失败，补偿款又没拿到，2019年收购实控人鲁小均旗下的顺宇洁能科技有限公司，主营业务是光伏电站运营，目前还在承诺期，2020年引入了业界大佬陈之战，与长丰县共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园，项目总投资100亿元，进军碳化硅衬底领域，主攻6寸的SiC导电型衬底，规划产能年产24万片
国内专注于大尺寸SiC衬底企业，由海龟刘欣宇与袁振乾2019年在南京创立，成立仅半年便推出大尺寸(6-8英寸)碳化硅单晶衬底，目前，公司已实现晶体生长、加工、检测全线英寸碳化硅衬底已批量生产，并且成功研制了国内首台套高速率碳化硅单晶生长设备，是全国唯一一家同时拥有两种量产长晶技术路线英寸碳化硅衬底已顺利进入美国一流器件厂商，未来计划稳步扩产，将6-8英寸碳化硅衬底年产量提升至150万片
碳化硅衬底后起之秀，公司由沈新芳于2008年在杭州成立，做电子线材起家，先后涉足金刚石切割线，极耳与线年登陆上交所，同时开始储备碳化硅项目，引入台湾研发人员，2021年通过定增募资约5亿，购买约250台长晶炉，在湖州建设6寸年产12万片的碳化硅衬底项目，预计2023年底达产，不过由于良率始终不高(约60%)，产品售价低于成本价，导致该业务目前仍处亏损状态，不过公司计划加大投入，也从6寸往8寸过渡，预计2024年规划产能年产30万片
公司成立于2016年6月，是由中国钢研科技集团的新冶集团（占股40%）、国宏华业投资有限公司（占股35%）和公司骨干员工（占股25%）三方共同出资成立的由央企控股的混改公司。未来计划打造国内最大的碳化硅晶体衬底片生产基地
广东地区稀缺的碳化硅衬底企业，由原深圳第三代半导体研究院副院长王垚浩博士牵头，引入由山东大学徐现刚教授作为研发带头人，开展第三代半导体材料——碳化硅单晶材料的研发、中试和后续量产等工作，也将通过晶圆产业的布局，赋能粤港澳大湾区的新基建。2018年9月落地南沙，投资9个亿，产品以6英寸半绝缘和N型硅衬底为主，2022下半年产能将提升到年产6万片衬底晶片，预计2023年将进一步提升到年产12万片，完全达产后预计年产各类衬底片和外延片共20万片
东北地区知名碳化硅衬底企业，由哈工大教授赵丽丽于2018年创立，公司与哈尔滨新区共同投资10亿元建设衬底厂，目前生产车间里已经安装完100台长晶炉，后续还要安装100台。预计2022年底全部达产后可形成年产10万片6英寸碳化硅衬底的生产能力，同时公司也紧跟趋势，不断在8英寸碳化硅衬底研发上取得突破
【外延】相对衬底来说，外延的技术要简单一些，从碳化硅衬底的晶片上外延生长出一层单晶材料，可以外延出碳化硅（用作高压功率半导体），也可以外延出氮化镓（用作射频），外延工艺的核心是外延层厚度、掺杂浓度以及缺陷能否控制好，展开来说，目前国内主流外延片企业有以下：
国内碳化硅外延片龙头企业之一，由厦大出身的海龟博士赵建辉于2011年在厦门创立，于2012年开始销售4英寸碳化硅外延晶片，于2014年成为中国第一家、全球第四家销售6英寸产品的企业，公司目前是全球第二大、全国第一大SiC纯外延晶片生产商。2018年，公司投资6.3亿元建设6英寸SiC外延晶片产业化项目（一期），2019年11月，公司年产能达到6万片。2020年年底，公司拟投资扩建产能、建设10条6英寸SiC外延片生产线英寸SiC外延片，公司不仅是大中华区目前唯一大批量进入国际巨头供应链的外延晶片生产企业，而且同时服务着英飞凌、意法半导体、安森美及Wolfspeed这四家全球碳化硅Top 4之中的三家国际巨头
国内最大的碳化硅外延片企业之一，由造纸行业出身的欧阳忠2009年跨界创立，2010年，天域半导体与中国科学院半导体研究所合作，共同创建了碳化硅研究所，并引进了以王占国院士为首的7名中科院半导体所研究员，2012年完成了N型外延片研发；2013年又完成P型外延片的研发，并开始向客户供应P型碳化硅外延片；2014年公司6英寸外延片研发成功，正式向客户供货；2018年公司新引进生产线英寸碳化硅外延片产能达到量产规模。目前，天域在中国拥有最多的碳化硅外延炉-CVD，月产能达到5000件，引入了哈勃，比亚迪等公司入股，产能方面，目前4-6寸碳化硅外延片年产能12万片，待投资80亿的总部建成后，将用于生产6英寸、8英寸碳化硅外延晶片，预计年产能120万片
中电科13所旗下企业，成立于2000年11月，前身为中电科第十三研究所半导体材料专业部硅外延课题组。普兴电子目前已成为国内最大的硅外延材料供应商之一，其主要产品为各种规格型号的硅基外延片、氮化镓（CaN）外延片和碳化硅（SiC）外延片，目前6英寸中高压碳化硅外延片月产能已实现大幅提升
公司于2019年在南京创立，主要生产碳化硅及氮化镓相关外延片。创始团队来自台湾，拥有近20年SiC和GaN外延经验，2021年底完成产线建设和客户验证，并正式步入量产。目前可以提供4/6寸碳化硅、6/8寸硅基氮化镓外延相关服务和产品，2023年百识SiC产线寸SiC产线，从衬底到设备完成国产化，2022年在扬州建厂，项目分二期建设，总投资10亿元，其中一期投资总额约6亿元，产能15万片
【器件及模块】自从特斯拉引爆碳化硅市场之后，创业火力最集中的环节就是器件及模块，同时几乎所有做硅基功率器件的传统企业也纷纷赶时髦进军碳化硅领域（扬杰、士兰、华润微等走在前列），对于纯设计公司来说，最大的瓶颈是产能，得产能者得天下，毕竟设计得再好，生产不出来也白搭，好在资本持续追捧，一批融到大钱的器件公司都开始自己建晶圆厂，不过做设计和做生产制造是两种不同的商业模式，一些没有生产经验的设计公司盲目上马晶圆厂项目，也酿成了一些资本浪费的惨剧，即使能生产出来，良率过低导致成本太高，只能亏钱卖，也不划算，详细来说，目前国内碳化硅器件及模块企业有以下：
国内知名Fabless碳化硅设计公司，由留美博士，前Cree/Qorvo/United SIC等知名大厂出身的黄兴博士2018年在杭州创立，黄博士也是全球首款碳化硅3300V Mosfet器件发明者之一，得益于较好的技术，派恩杰自成立之初便得到资本加持，2019年8月发布了第三代1200V SIC Mos，2020年1月开发验证了650V 1200V工业级MOS，2021年2月开发验证1200V大电流车级MOS，7月完成1200 SIC模块开发，如今已经在650V，1200V，1700V三个电压平台发布了100余款不同型号的Sic二极管，MOSFET，功率模块等产品，并且于全球最大的碳化硅代工厂X-Fab签订了6年的长约，产品通过代理商打入了大众，比亚迪，吉利等客户，目前在自建模块产线，未来不排除会走IDM模式
芯粤能的母公司，专注于碳化硅模块，依旧由肖国伟领衔，前安靠中国区总裁周晓阳任董事长，公司2018年底在广东成立，2019年6月模块厂开始施工，同年12月开始生产，2020年三季度工业级模块量产，2022年一季度车规级模块量产，目前封装的芯片采购自欧洲及日本，包括IGBT模块与碳化硅模块，产品用于吉利，广汽，零跑，小鹏等厂商，未来将会使用芯粤能产的芯片，打通成为IDM模式，与芯粤能产生强烈的协同效应
正在崛起的碳化硅IDM公司，由清华出身，前有感科技创始人王哲牵头于2020年底在北京创立，主要针对650V-1200V的碳化硅芯片，模块及模组进行研发和生产，面向汽车和工业市场，公司在南通有模组制造基地，目前在股东北汽产业投资，新潮集团的大力支持下，开始在江苏无锡自建器件工厂(6寸线. 基本半导体（Fabless转IDM）
国内较早一批碳化硅企业之一，由出身清华大学的汪之涵博士带领英飞凌等大厂员工2016年在深圳创立，公司专注碳化硅功率芯片及模块，覆盖材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、碳化硅驱动芯片等。目前公司产品在光伏储能、工业控制、智能电网等工业领域持续出货，累计出货量超过了两千万颗，在汽车领域与广汽埃安紧密合作，模块产品正在验证中，供应链方面，公司在无锡投产了汽车级碳化硅功率模块专用产线万只模块，在南京建设年产1.2万片的外延片制造基地，预计2023年投产，晶圆方面，一方面在北京合作建设年产能1.2万片的6寸厂(23年满产后可扩充至6万片)，另一方面在深圳自建6寸厂，年产2.4万片，未来，公司将加速打造成为领先的第三代半导体领域IDM企业
国内领先的碳化硅企业，由复旦+TI出身，赵建辉的徒弟张永熙博士于2017年在临港创立，2018年瞻芯电子成功地在一条成熟量产的6英寸生产线上完成了碳化硅晶圆的制造流程，成为第一片国产6英寸碳化硅晶圆，2019年，公司驱动芯片正式出货量产，2020年，1200V SiC MOSFET工艺平台开发成功，进入量产，2021年在义乌开工建设6寸碳化硅工厂，2022年7月投产，项目一期设计产能为30万片6英寸碳化硅晶圆，并按汽车电子质量管理体系标准建设，公司产品广泛用于汽车，光伏等领域，股东涵盖了小鹏，上汽等主机厂，截止2022年底，公司SIC Mosfet累计出货超200万颗
由做投资出身的徐菲于2019年在临港创立，核心研发主力为李博士、洪博士等人，经过前期摸索，公司在碳化硅领域迅速站稳脚跟，是国内较早进入碳化硅设计行业的公司，也是国内少数能大规模量产并交货的车规级碳化硅MOS管、二极管、模块的本土公司，上海瀚薪还拥有自主设计的世界唯一能量产的SiC JMOS产品，目前公司计划在临港建设生产基地
公司由复旦大学教授张清纯于2021年3月在宁波成立，是一家聚焦于碳化硅（SiC）半导体领域的芯片公司，是国内领先的碳化硅功率器件供应商，公司是目前国内极少数能够在SiC器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、并且基于国内产线量产车规级SiC MOSFET的企业之一，其相关产品已经在新能源发电、新能源汽车等领域得到广泛应用，公司创始股东包括禾望电器老板，曾试图收购清纯未果，在新一轮融资中，清纯引入了包括蔚来汽车，士兰微等一系列明星股东，总体来说，公司发展还处在早期，能否在激烈的竞争中跑出来还有待观察
公司成立于2016年3月，是一家专业从事第三代半导体SiC功率器件与模块研发和制造的企业。2018年9月18日，芯光润泽国内首条碳化硅智能功率模块（SiCIPM）生产线月正式开工建设，据了解，该产线投产稳定后，每月生产规模可达30万、每年可达360万颗。公司目前拥有碳化硅产品为碳化硅SBD和碳化硅MOSFET，如XGSCS1230SWA是碳化硅SBD其中一个型号，可以满足电压为1200V的电压需求，适用场景为开关电源、功率因数校正、电力逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动等等
由陈彤带领团队2011年在北京设立，是国内较早进入碳化硅领域的厂商，早期重点在产品研发，建设4寸碳化硅产线年前后，泰科天润小批量产出了第一、二代产品，获得了客户的初步认可 ，2017年资金链一度紧张，幸好获得融资，2019年，耗资7亿在湖南新建一座6英寸碳化硅器件晶圆厂，2021年8月达产，年产量6万片6英寸晶圆，目前正在北京顺义区建设办公研发总部基地及6-8英寸碳化硅功率器件生产基地
绿能芯创成立于2017年，由前威士技术骨干廖奇泊牵头创立，总部位于北京顺义，于2019年在山东淄博成立全资子公司，专注于碳化硅功率器件芯片设计、工艺开发与生产制造，目前已具备完整6英寸碳化硅芯片产品设计、生产通线技术及成功批量生产经验，但据说淄博的厂没做好，22年底又开始在合肥搞一个6寸生产线所(国联万众 IDM)
13所自2004年开始对SiC材料、器件进行工艺研究，与国际先进水平同步。经过多年的建设和发展，2017年4英寸SiC电力电子工艺线正式实现批产供货；为进一步扩充产能、对标国际先进，2019年采用改扩建方式完成了SiC电力电子6英寸工艺线英寸SiC电力电子工艺线年。期间通过不断优化产品性能指标，技术团队又基于6英寸工艺线完成了第三代薄片工艺SiC SBD和第三代SiC MOSFET产品开发，产品指标均可对标国际一线品牌，目前正筹划被同属13所旗下的中瓷电子收购，作价约4.4亿
国内稀缺的的碳化硅功率半导体特性精准特测公司，由海龟博士毛赛君于2020年初在上海张江创立，公司核心团队来源于GE中央研究院，自成立起便瞄准了碳化硅器件及模块测试领域，目前，忱芯科技功率半导体动静态ATE设备已实现批量量产(Edison系列)，产品线实现了晶圆级、器件级、应用级测试系统的的全覆盖，除了半导体赛道之外，公司在高端医疗影像设备方面也有布局，已顺利推出多款瞬影（SHUN Imaging）系列，覆盖CT、CBCT、X射线源产品等产品，并与多家世界五百强企业和国内头部顶尖医疗影像设备整机厂达成了深度合作
由前GE中国区技术总监沈捷于2017年在上海临港创立，主攻搭载自有IGBT及SIC模块的电机控制器，当年便开发出自主知识产权的碳化硅功率模块，2018年携手五菱电机在柳州共建自动化电控产线年搭载臻驱自研功率模块及电机控制器的纯电车型下线年携手日本罗姆ROHM成立碳化硅SiC技术联合实验室，2022年新一代车规级功率模块及双电控开启大批量生产，未来一年共计10多款混动及纯电乘用车型进入量产状态
公司由周永昌2018年在上海临港创立，是第三代半导体供应商，专业从事碳化硅器件的研发、生产及销售。2019年，飞锃已大规模量产650V和1200V碳化硅二极管；2021年第四季度，飞锃开始批量出货碳化硅MOSFET。其产品广泛应用于EV快充、光伏、储能、OBC及EV电驱等。飞锃半导体已在硅晶圆代工厂成功生产6英寸碳化硅器件，并成功大量出货1200V碳化硅器件
公司由西安电子科技大学出身的王青松于2019年底在上海创立，公司一开始在SiC市场的目标就是做车规级产品，目前车规级SiC JBS产品、车规级SiC MOSFET即将进入量产阶段，应用于新能源车主驱的SiC 1200V/16mohm MOSFET国内一次流片成功，也进入客户验证阶段，产品进度处于国内第一梯队，在光伏领域，SiC MOSFET、中高压功率器件目前已进入头部客户审厂阶段，预计2022 Q3开始量产销售
由前华润微高管张爱忠于2021年在深圳创立，是一家专注于碳化硅功率器件研发的企业，主打产品为碳化硅MOSFET及模组等系列产品，公司团队由来自华润微、台积电、意法半导体等企业的资深人士组成，创始人张爱忠先生是国内著名的功率半导体专家，所带领的团队是国内最早开始研究碳化硅设计与工艺技术的团队。至信微的碳化硅MOSFET量产良率超过90%，其推出的碳化硅器件产品目前已在光伏、新能源汽车、工业等领域获得认可
对于碳化硅企业来说，由于持续供不应求，至少到2025年，产能都是制约碳化硅器件公司最大的瓶颈，因此代工厂的市场机会便显而易见，一个代工厂从规划到量产大约需要5年的时间，投资碳化硅晶圆厂也是一个重资产，慢回收的事业，但一旦做好了就在行业里有响当当的地位，详细来说，国内目前布局碳化硅代工厂的企业有以下：
国内最早从事汽车电子芯片，IGBT芯片制造的企业，属于中国电子和上海市重大战略合作项目，并且由张汝京博士牵头在2017年底成立，公司专注于模拟电路、功率器件的芯片制造，主要产品为6寸、8寸晶圆，在自贸区和徐汇区设有生产线寸特色芯片工艺生产线，在碳化硅领域，拥有产能年产6万片，目前正在扩产中(SiC产能为国内第二，SiC晶圆代工产能为国内第一)，由于公司在车规级代工厂的特殊地位，是英飞凌在大陆唯一合作的代工厂，在一轮轮的融资中引入了包括五大主机厂在内的超级豪华阵容，公司未来上市基本上板上钉钉
大湾区碳化硅代工厂扛霸子，公司立于2021年5月，是一家面向车规级和工控领域专注碳化硅芯片制造和研发的Foundry公司，总投资75亿元人民币规划SiC产能，包含一期规划年产24万片6吋SiC晶圆芯片，在2023年3月底产线月底达产，二期计划年产24万片8吋SiC晶圆芯片，预计2026年达产，二期达产后合计年产值将达100亿元。芯粤能核心运营团队由前晶科电子董事长肖国伟牵头，并有原华虹及积塔等高管加入，项目得到广东省、广州市和南沙区政府重点支持，并拥有芯聚能（40%）、吉利威睿（40%）、芯合（20%）等豪华股东结构，绑定了大客户和模块厂，高举高打，公司未来必定是碳化硅代工厂一颗冉冉升起的星秀
碳化硅Fab厂，由芜湖国资，启迪新材料与芜湖迪芯(管理团队)于2018年联合设立，专注于以GaN和SiC为代表的第三代半导体外延生长、芯片制造、器件和模组封装测试业务，拥有四条中试生产线，具备从芯片制造到IGBT模组和单管封测的专业化代工生产能力和技术研发能力，2022年被以长飞光纤(出资7.8亿)为核心的联合购买体以14.3亿收购，整合后公司更名为长飞先进，大举发力碳化硅，除了原有的芜湖年产6万片SIC外，又规划在武汉建设二期超大基地，规划产能年产42万片，由公司股东日本Ferrotec旗下SIC单晶衬底企业微芯长江保障短期内衬底供应链(23年6月投产，年产6寸12万片)，目前公司产品正在头部车厂认证中，为应对武汉基地的大扩产，公司正在加大融资力度
国内6寸碳化硅代工厂，由和利资本和南京百识于2011年底联合孵化，核心团队来自台湾汉磊(谢慧青，宣融)，由南京百识保障衬底及外延片，目前一期工厂正在建设中，规划6寸产能年产6万片，预计2024年下半年投产，同时2023年开始扩产二期，规划产能年产12万片，预计2026年投产，公司整体想打造为台湾的“嘉晶-汉磊”模式，未来只做代工，为碳化硅设计公司服务，由于开工厂资本开支较大，公司预期将持续融资，未来的竞争力取决于公司衬底的保障力度和产品良率，有待进一步观察