近日，中科钢研节能科技有限公司（简称中科钢研）碳化硅产业化项目在京正式启动，昭示着我国高品质、大规格碳化硅晶体生长技术的研发取得了突破性进展，使国内相关领域技术达到了国际一流水平，伴随其产业化进程的推进，并在产品国产化和成本大幅降低的基础上，使其产品能在军工、通信、高铁、新能源汽车、第三代半导体元器件等方面得到广泛应用。
碳化硅作为第三代半导体材料，凭借其在高温、高压、高频等条件下的优异性能表现，成为当今最受关注的新型半导体材料之一。采用碳化硅材料制成的电力电子元件可工作于极端环境和恶劣环境下，特别适用于军用武器系统、航空航天、石油地质勘探、高速铁路、新能源汽车、太阳能逆变器及工业驱动等需要大功率电源转换的应用领域。
碳化硅衬底片行业是典型的技术密集型和资金密集型产业，高良品率、高稳定性的长晶工艺技术是其核心。目前，国际上先进的碳化硅长晶工艺及装备掌握在美德日俄等少数西方发达国家手中，全球仅极少数企业能够商业化量产。
为了扶持我国碳化硅行业的快速发展，《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》中明确将碳化硅列为“新一代信息功能材料及器件”优先主题。在《中国制造2025》中明确大尺寸碳化硅单晶衬底为“关键战略材料”“先进半导体材料”。
中科钢研选择了高品质、大规格的碳化硅晶体生长技术和衬底片制备技术作为研究专项，引进外籍专家并依托自身科研团队，与国宏华业投资有限公司及4家企业共同组建了“中科钢研碳化硅晶体生长技术重点实验室”，实验室2017年被北京市发改委批复为“第三代半导体制备关键共性技术北京市工程实验室”。
在工艺为先的思路下，实验室根据产品市场前景、技术的先进性与成熟性选择了升华法和高温化学气相沉积法两种长晶技术作为研发方向，快速掌握了高品质、大规格碳化硅长晶工艺技术及其装备。
目前中科钢研与上海大革智能科技有限公司等单位联合研发的升华法4英寸导电性碳化硅晶体长晶生产过程稳定，装备自动化程度高，通过核心工艺技术及装备的研发升级，取得了晶体良品率和节能降耗等关键指标的突破性进展，获得了高品质、大规格的碳化硅晶体。
未来三年，中科钢研将突破6英寸“高品质、低成本”导电型碳化硅晶体升华法长晶工艺及装备、4英寸无掺杂高纯半绝缘碳化硅晶体高温化学气相沉积法长晶工艺及装备，并达到产业化应用水平，将联合国宏华业投资有限公司等4至5家已取得共识的合作单位。通过全国布局投资30亿人民币，打造国内最大的碳化硅晶体衬底片生产基地，为我国航天航空、军工装备、高速轨道交通、新能源汽车、新型大功率电源、智能电网等高端新型应用领域的创新发展提供强有力的产品支持。返回搜狐，查看更多