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  • 一周动态:百亿第三代半导体项目落地济南华为、长鑫、武汉新芯、瓴盛“芯”消息不断

    作者:admin发表时间:2023-06-13

      集微网消息(文/图图)长鑫存储产能正在爬坡、武汉新芯产能利用率达到100%、百亿中鸿新晶第三代半导体产业集群项目落地济南、华为自研GaN快充充电器主控芯片、日月光拿下中兴通讯5G基站芯片订单、云塔科技推出自主研制5G毫米波滤波器…….

      据新华社报道,在长鑫存储技术有限公司,一台台来自全球各地的设备正在紧锣密鼓地安装调试中。这是长鑫存储2019年投产的内存芯片设计和制造项目,它给全球半导体设备和耗材供应商带来共赢商机。长鑫存储执行副总裁刘红雨表示,公司产品已通过部分头部企业的产线验证,产能正在爬坡,今年计划月产4万片12英寸晶圆。

      据武汉新芯官方消息,在70多天的防疫战中,武汉新芯厂内员工、厂商人员及所有后勤保障人员无一感染。同时,随着武汉防疫形势的好转,武汉新芯也从3月28日开始,产能利用率达到100%,并从4月6日开始,连续创出日运载率指数历史新高。

      此外,在过去两个多月的防疫战中,武汉新芯综合产能利用率始终保持在70%以上。

      4月8日,中鸿新晶第三代半导体产业集群项目(彩虹集团LED)签约落地济南。中鸿项目计划总建设周期5年,项目总投资111亿元,完成并购瑞典ASCATRON公司,致力于打造全球领先的“国家级战略新兴半导体研究院”。

      该项目一期产业投资8亿元,计划3年内完成第三代半导体产业集群初步建设,完成深紫外LED生产线英寸碳化硅单晶生产、加工、碳化硅外延生产线条。一期完成后,将实现年产值20亿元。项目二期投资51亿元,完成第三代半导体产业基金的募集工作,并购瑞典ASCATRON(艾斯科强)公司,计划2年内完成6-8英寸碳化硅单晶扩产、6-8英寸氮化镓外延、射频器件、功率器件生产线条。二期完成后,将实现年产值120亿元。项目三期投资52亿元,将ASCATRON公司后续芯片生产全部转移至中国,项目建成后预期将带动上下游产业近千亿元产值。

      据徐州日报报道,作为江苏省级重大产业项目,徐州鑫晶半导体大硅片项目年内将全部竣工投产。

      徐州鑫晶半导体大硅片项目总投资150亿元,一期投资94.5亿元,是协鑫集团在江苏鑫华半导体项目投产之后,在徐州的又一布局。该大硅片项目规划建设国际先进的8英寸、12英寸半导体大硅片长晶及切磨抛生产线英寸大硅片长晶产线试产成功。

      自2019年启动新厂区建设后,目前靖江先锋半导体科技有限公司基建工程主体已经完工,预计6月份投产。据靖江市科学技术协会消息,目前,该企业新研发的用于5纳米芯片工艺的刻蚀机核心零部件已经研发成功,在新厂区投用后即将投入生产。

      4月8日晚,华为2020春季新品发布会正式发布65W GaN双口超级快充充电器,支持Type-A和Type-C双口充电,能给手机、平台和PC充电。

      关于华为GaN快充充电器的电源管理IC芯片,据《科创板日报》报道,有行业人士推测为华为所投的杰华特和海思共同开发的自研芯片。

      但《科创板日报》记者分别从供应链和华为内部获悉,这款充电器的主控功率IC芯片,实际由华为自研,而杰华特并没有参与,并从供应链获悉,华为充电器新品整体外包给住友电工,核心的GaN MOSFET由稳懋半导体代工。

      此外,据The Elec本周报道,华为公司今年将在韩国成立云计算和人工智能业务集团,以打入目前由英伟达主导的GPU服务器市场。

      据电子时报报道,继华为海思后,日月光投控进一步以2.5D/interposer技术为基础的先进封测制程,拿下中兴通讯自主开发5G基站芯片量产大单。

      近日,安徽云塔电子科技有限公司联合中国科学技术大学微电子学院,发布了其自主研制的5G毫米波滤波器。

      云塔科技向集微网记者表示,目前在全球范围内,工作在毫米波频段的微型滤波器解决方案近乎空白。这是中国厂商首次在5G毫米波频段研制成功该类微型化滤波器产品,尺寸仅为2.5×2.0mm。

      集微网还从业内人士处获悉得知,瓴盛科技即将推出第一款面向多领域的AIoT芯片产品,该款芯片一次性流片成功,预计将于今年下半年正式量产。(校对/小如)

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