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  • 中科钢研碳化硅项目今年将实现投产 项目总投资达10亿元

    作者:admin发表时间:2024-02-14

      媒体报道,近日位于山东青岛莱西经济开发区的中科钢研碳化硅项目正在加紧建设,今年将实现投产。

      据悉,该项目总投资10亿元,占地约80亩,建筑面积5万平方米,主要生产高品质、大规格碳化硅晶体衬底片。项目达产后,将实现年产5万片4英寸碳化硅晶体衬底片与5000片4英寸高纯度半绝缘型碳化硅晶体衬底片。

      中科钢研表示,未来将把国家级现金警惕研究院设在莱西,专注碳化硅研发生产,力争在三年内接近欧美最高水平。

      碳化硅是第三代半导体材料,在高温、高压与高频条件下有优异的性能表现,适用于汽车、铁路、工业设备、家用消费电子设备、航空航天等领域,是目前最受关注的新型半导体材料之一。

      从产业链角度看,碳化硅包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节,目前全球碳化硅市场基本被国外企业所垄断。

      国内市场,目前已初步形成了涵盖各环节的碳化硅产业链,在政策利好以及市场驱动下,国内企业在这一环节正努力跟跑与赶超。

      上涨。   近期,包括罗姆、安森美、Wolfspeed、博世、三安光电、天岳先进等国内外企业纷纷披露

      目前汽车业仍结构性缺芯,比如,电源类、控制类、通信类、计算类、功率类的芯片均紧缺。像

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      为进一步完善产能布局,抢占市场先机,北京天科合达决定在徐州经开区开展江苏天科合达二期扩产

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      肖特基二极管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。该器件

      肖特基二极管的温度特性与硅快速恢复二极管不同,当温度升高时导通阻抗会增加,VF值也上升,这样器件发热不易发生热失控,更适合并联使用。同等温度条件下,IF=

      倍,因此,其器件可设计更高的掺杂浓度及更薄的外延厚度,与相同电压等级的硅功率器件相比

      在功率模块中的性能,特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。分立器件(如 TO-247)是

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